J. Phys. France 43, 285-291 (1982)
DOI: 10.1051/jphys:01982004302028500

Relaxation spin-réseau de mn2+ dans zn se. mise en évidence de la contribution des phonons optiques

G. Roger¹, C. More¹, C. Blanc¹, J.-P. Sorbier¹ et M. Lemercier<sup>2

1</sup>  Université de Provence, Département d'Electronique , rue Henri-Poincaré, 13397 Marseille Cedex 13, France
²  Laboratoire d'Electrooptique, 40, avenue du Recteur-Pineau, 86000 Poitiers, France

Abstract
The relaxation behaviour of Mn2+ in cubic Zn Se has been studied between 1.3 K and 950 K at 9 375 MHz. When T < 10 K, relaxation takes place via a direct process [T1 T = 3.17 × 102 (msK)]. For 10 K < T < 50 K , we observe, moreover the direct process, an acoustical Raman process [FORMULA]. So, for T > 50 K our experimental results are interpreted by adding a supplementary relaxation factor [FORMULA] due to the optical phonons ; at 1 000 K this factor is about 5 times higher than the acoustical phonons ones.

Résumé
Nous avons étudié la relaxation de l'ion Mn2+ dans Zn Se cubique entre 1,3 K et 950 K à la fréquence de 9 375 MHz. Quand T < 10 K, la relaxation est assurée par un processus direct [T\ T = 3,17 × 102 msK]. Pour 10 K < T < 50 K, on observe, en plus du processus direct, un processus Raman acoustique [FORMULE]. Enfin, pour T > 50 K, nos résultats s'interprètent en ajoutant un terme de relaxation supplémentaire en [FORMULE] attribué aux phonons optiques ; à 1 000 K, ce terme est environ 5 fois plus grand que celui relatif aux phonons acoustiques.

PACS
7630F - Iron group (3d) ions and impurities (Ti-Cu).

Key words
electron spin lattice relaxation -- II VI semiconductors -- lattice phonons -- manganese -- zinc compounds