| Numéro |
J. Phys. France
Volume 42, Numéro 7, juillet 1981
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| Page(s) | 1039 - 1044 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:019810042070103900 | |
J. Phys. France 42, 1039-1044 (1981)
DOI: 10.1051/jphys:019810042070103900
1 Division de Physique Théorique, C.S.T.N., B.P. 1017, Alger-Gare, Algérie
2 Adresse permanente : Kuban State University, Krasnodar,U.S.S.R.
7120N - Semiconductor compounds.
Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- cadmium compounds -- energy gap -- pseudopotential methods -- ternary semiconductors
DOI: 10.1051/jphys:019810042070103900
Dépendance en température de la largeur de bande interdite dans CdIn 2Se4
V.I. Chizhikov1, 2, V.L. Panyutin1, 2, B.E. Ponedelnikov1, 2 et A.E. Rozenson1, 21 Division de Physique Théorique, C.S.T.N., B.P. 1017, Alger-Gare, Algérie
2 Adresse permanente : Kuban State University, Krasnodar,U.S.S.R.
Abstract
The band structure at special points and the variation of the band gap as a function of temperature for CdIn2Se4 are calculated by using the empirical pseudopotential model. The theoretical values are in satisfactory agreement with the experiment. The estimation of the acoustic déformation potential is also effectuated.
Résumé
La structure de bande en des points particuliers et la variation de la largeur de bande interdite en fonction de la température pour CdIn2 Se4 sont calculées par le modèle du pseudopotentiel empirique. Les valeurs théoriques sont en accord satisfaisant avec l'expérience. L'estimation du potentiel de déformation acoustique est également effectuée.
7120N - Semiconductor compounds.
Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- cadmium compounds -- energy gap -- pseudopotential methods -- ternary semiconductors