Numéro
J. Phys. France
Volume 46, Numéro 6, juin 1985
Page(s) 959 - 964
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01985004606095900
J. Phys. France 46, 959-964 (1985)
DOI: 10.1051/jphys:01985004606095900

Variation de l'énergie de la bande interdite de PbTe en fonction de la température

B. Toulouse, F. Morales et S. Rolland

Laboratoire de Physique des Solides , Institut National des Sciences Appliquées, 35043 Rennes Cedex, France


Abstract
The PbTe gap energy Eg has been deduced from the optical absorption coefficient of n-type samples (n = 3.2 x 1017 cm-3 ) about 10 μm thick. The Eg(T) variation is not linear on the whole temperature range but can be described by to linear parts : one with dEg/dT = 4.6 x 10-4 eV/K for T < 200 K and the other with dEg/dT = 3.7 x 10 -4 eV/K for T > 200 K. No saturation in the Eg( T) variation has been found under 500 K.


Résumé
Nous avons déduit la variation de l'énergie de la bande interdite Eg de PbTe entre 36 K et 500 K à partir de mesures de coefficient d'absorption optique sur des échantillons de type n (n = 3,2 x 1017 cm -3) d'épaisseur voisine de 10 μm. La variation Eg(T) n'est pas linéaire sur toute l'étendue de température mais peut être décrite par deux lois linéaires : la première correspondant à dEg/dT = 4,6 x 10-4 eV/K pour T < 200 K. La seconde pour laquelle dEg/dT = 3,7 x 10-4 eV/K pour T > 200 K. Aucune saturation dans la loi Eg(T) n'a été observée jusqu'à 500 K.

PACS
7820C - Optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity).
7120N - Semiconductor compounds.

Key words
energy gap -- IV VI semiconductors -- lead compounds -- light absorption -- optical constants