Recombinaison dépendant du spin dans une jonction n+p au silicium

Abstract
We have repeated the experiment made on a silicon n + p junction [1] in order to get more précise quantitative measurements. This paper describes the apparatus used and gives more précise experimental results for the linewidth and position. Thèse are in good agreement with those obtained in pure silicon [2].

Résumé
Nous avons repris l'expérience faite dans une jonction n+ p au silicium [1] afin d'effectuer des mesures quantitatives plus fines. Nous présentons l'appareillage et les résultats expérimentaux. Ces derniers précisent la position et la largeur de la raie : ils sont en bon accord avec ceux obtenus sur du silicium pur [2].