Spectroscopie de défauts ponctuels

Abstract
The absorption spectra of such impurities as oxygen, carbon and nitrogen are studied in the silicon lattice and molecular vibrations are obtained at 9 μ, 12.2 μ, and 10:6 μ, respectively. High density defects, created by irradiation with fast neutrons, polarize the lattice and make it possible to observe direct photon-phonon interaction. The infrared absorption spectra due to single phonons are composed of bands at 488, 417, and 331, as well as at 140 cm-1, corresponding to modes TO, LO, ,LA, and TA, respectively. The énergies of TO, for example, are determined un under high resolution at the point of maximum density of modes at T, L, W and X. They are 516 . 5 ± 1; 488 . 5 ± 1; 474 ± 1 and 447 ± 1.

Résumé
Étude des spectres d'absorption des impuretés neutres telles que l'oxygène, le carbone et l'azote, dont la présence dans le Si donne des bandes de vibrations moléculaires à 9 μ, 12,2 μ et 10,6 μ respectivement. Des défauts à haute densité créés par l'irradiation par neutrons rapides polarisent le réseau et rendent possible l'observation de l'interaction directe photon-phonon. Les spectres d'absorption infra-rouge due aux phonons simples sont constitués par des bandes à 488, 417 et 331 ainsi qu'à 140 cm-1, qui correspondent aux modes TO, LO, LA et TA respectivement. On détermine aussi à haute résolution les énergies du TO par exemple, aux points de maximum de densité de modes T, L, W et X qui sont respectivement 516,5 ± 1 ; 488,5 ± 1 ; 474 ± 1 et 447 ± 1.