Microwave absorption of electrons bound to films of helium

Abstract
We have measured the microwave absorption of a two dimensional electron gas on a film of superfluid helium at temperatures below 1.75 K and at a fixed frequency of 9 GHz. The electrons are attracted to the surface by image forces and in addition by a variable dc-electric field directed normally to the film. Due to the formation of dimples in the helium surface the electrons are also localized in the lateral direction. For the microwave field oriented parallel to the film and for temperatures below 1.4 K we have observed a broad maximum of the microwave absorption when we varied the clamping field. We believe that we have observed the lateral resonance vibration of electrons localized in their dimples, which can be electrically tuned by the dc-holding field.

Résumé
Nous avons mesuré l'absorption micro-onde, pour des températures inférieures à 1,75 K et à la fréquence fixe de 9 GHz, d'un gaz d'électrons sur un film d'hélium superfluide. Les électrons sont attirés vers la surface par les forces images et par un champ électrique continu additionnel d'intensité variable et dirigé selon la normale du film. A cause de la formation de fossettes dans la surface de l'hélium, les électrons sont aussi localisés dans la direction latérale. Pour un champ micro-onde orienté parallèlement au film et pour des températures en-dessous de 1,4 K, nous avons observé un maximum large de l'absorption micro-onde quand le champ de rétention varie. Nous pensons avoir observé la vibration latérale de résonance des électrons localisés dans leur fossette, qui peut être accordée électriquement par le champ continu pressant.