Analysis of Si-K edge EXAFS in the low k domain

Abstract
Studies of the silicon absorption spectrum above the K-edge in crystalline silicon carbide SiC and in pure crystalline silicon are reported. We show that for these systems, no high order scattering is needed to interpret the experimental results down to few eV above the edge. This behaviour can be explained assuming, below typically 4Å-1, a flattening of the phase factors versus k : all the data are understood in terms of single backscattering of the photoelectron by the neighbours and then can be analysed with a simple Fourier transform.

Résumé
Nous avons étudié le seuil K du silicium dans SiC et Si cristallins. Nous montrons que dans ces systèmes, l'EXAFS jusqu'aux très faibles énergies du photoélectron peut être interprété par un formalisme de diffusion simple. Les résultats obtenus nous conduisent à avancer l'hypothèse d'une invariance des déphasages en fonction de k pour k < 4 Å-1.