J. Phys. France 47, 273-277 (1986)
DOI: 10.1051/jphys:01986004702027300

Mesure des hauteurs de barrière dans les hétérojonctions pSnTe-nCdTe

M. Kane¹, G.W. Cohen-Solal¹ et G. Cohen-Solal<sup>2

1</sup>  Laboratoire des Semiconducteurs et d'Energie Solaire, Faculté des Sciences de Dakar, Dakar-Dann, Sénégal
²  Laboratoire de Physique des Solides, C.N.R.S., 92190 Meudon-Bellevue, France

Abstract
Barrier heights in pSnTe-nCdTe heterojunctions have been measured in order to construct the energy band diagram of such devices. Results obtained from current-voltage and capacitance-voltage characteristics are analysed and compared. From these studies a value of about 4.50 eV is obtained for SnTe electron affinity. This value corresponds to the deposited material which contains a weak proportion of cadmium proceeding from interdiffusion processes which take place between CdTe substrate and SnTe layer during the heterojunction fabrication.

Résumé
Des mesures de hauteurs de barrière dans les hétérojonctions pSnTe-nCdTe ont été effectuées dans le but de construire le diagramme de bande de ces structures. Les résultats obtenus à partir des caractéristiques courant-tension et capacité-tension ont été analysés et comparés. De ces études, il ressort que l'affinité électronique du SnTe jusqu'alors inconnue est voisine de 4,50 eV. Cette valeur est celle du matériau déposé qui contient une très faible proportion de cadmium provenant des phénomènes d'interdiffusion entre le substrat de CdTe et la couche de SnTe, qui prennent naissance au cours de la fabrication des hétérojonctions.

PACS
6630N - Chemical interdiffusion; diffusion barriers.
7340L - Other semiconductor-to-semiconductor contacts, p-n junctions, and heterojunctions.

Key words
cadmium compounds -- diffusion in solids -- II VI semiconductors -- IV VI semiconductors -- p n heterojunctions -- tin compounds