Article cité par

La fonctionnalité Article cité par… liste les citations d'un article. Ces citations proviennent de la base de données des articles de EDP Sciences, ainsi que des bases de données d'autres éditeurs participant au programme CrossRef Cited-by Linking Program. Vous pouvez définir une alerte courriel pour être prévenu de la parution d'un nouvel article citant " cet article (voir sur la page du résumé de l'article le menu à droite).

Article cité :

Determination of the optical constants of GaSb near the energy gap by measuring the shift in the oscillation modes of laser diodes.
Détermination des constantes optiques de GaSb au voisinage du gap par la mesure du déplacement des modes d'oscillation de diodes laser

Henry Mathieu

J. Phys. France, 29 5-6 (1968) 522-526

DOI: https://doi.org/10.1051/jphys:01968002905-6052200

Citations de cet article :

Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties

Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter, Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties b 1 (2002)
https://doi.org/10.1007/10832182_265

Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties

Electronic structure of GaSb under temperature and pressure effects

N. Bouarissa, A. Zaouixaa, J.P. Dufour, M. Certier and H. Aourag
Materials Science and Engineering: B 47 (1) 1 (1997)
https://doi.org/10.1016/S0921-5107(96)02030-2

Temperature dependence of the dielectric function and the interband critical-point parameters of GaSb

Stefan Zollner, Miquel Garriga, Josef Humlek, Sudha Gopalan and Manuel Cardona
Physical Review B 43 (5) 4349 (1991)
https://doi.org/10.1103/PhysRevB.43.4349

III–V Semiconducting Compounds

M. Neuberger
III–V Semiconducting Compounds 35 (1971)
https://doi.org/10.1007/978-1-4615-9606-6_10

Article cité par

Article cité :

Determination of the optical constants of GaSb near the energy gap by measuring the shift in the oscillation modes of laser diodes.Détermination des constantes optiques de GaSb au voisinage du gap par la mesure du déplacement des modes d'oscillation de diodes laser

Citations de cet article :

Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties

Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part b - Electronic, Transport, Optical and Other Properties

Electronic structure of GaSb under temperature and pressure effects

Temperature dependence of the dielectric function and the interband critical-point parameters of GaSb

III–V Semiconducting Compounds

Determination of the optical constants of GaSb near the energy gap by measuring the shift in the oscillation modes of laser diodes.
Détermination des constantes optiques de GaSb au voisinage du gap par la mesure du déplacement des modes d'oscillation de diodes laser