Numéro |
J. Phys. France
Volume 29, Numéro 5-6, mai-juin 1968
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Page(s) | 522 - 526 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01968002905-6052200 |
J. Phys. France 29, 522-526 (1968)
DOI: 10.1051/jphys:01968002905-6052200
Centre d'Études d'Électronique des Solides associé au C.N.R.S., Faculté des Sciences de Montpellier
7820C - Optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity).
2560 - Reactions induced by unstable nuclei.
Key words
semiconductor diodes -- refractive index -- solid lasers -- gallium compounds -- optical dispersion
DOI: 10.1051/jphys:01968002905-6052200
Détermination des constantes optiques de GaSb au voisinage du gap par la mesure du déplacement des modes d'oscillation de diodes laser
Henry MathieuCentre d'Études d'Électronique des Solides associé au C.N.R.S., Faculté des Sciences de Montpellier
Abstract
We have measured the shift with temperature of the spontaneous emission peak dλg/dT = 5.4 Å do-1 and that of individual oscillation modes dλm/dT = 1.2 Å d o-1. We have determined the temperature coefficient ∂n/∂T = 3.8 × 10-4 do-1, the refractive index n = 3.92, of GaSb at 80 °K near the energy gap, and the dispersion ∂n/∂λ = - 0.7 μ-1.
Résumé
On mesure le déplacement, avec la température, du pic d'émission spontanée dλg/dT = 5,4 Å d0-1, et des modes d'oscillation de la cavité dλm/dT = 1,2 Å do-1 . On en déduit le coefficient de température ∂n/∂T= 3,8 X 10-4 do-1, la valeur de l'indice de réfraction du GaSb à 80 °K au voisinage du gap n = 3,92 ainsi que la dispersion ∂n/∂λ = - 0,7 μ-1.
7820C - Optical constants (including refractive index, complex dielectric constant, absorption, reflection and transmission coefficients, emissivity).
2560 - Reactions induced by unstable nuclei.
Key words
semiconductor diodes -- refractive index -- solid lasers -- gallium compounds -- optical dispersion