J. Phys. France 50, 3431-3440 (1989)
DOI: 10.1051/jphys:0198900500240343100

On the dynamic nature of microscopy specimens at lattice resolution

J. Washburn et Z. Liliental-Weber

Center for Advanced Materials, Lawrence Berkeley Laboratory 62/203, 1 Cyclotron Road, Berkeley, CA 94720, U.S.A

Abstract
Examples are shown that illustrate rapid changes that can take place while a thin foil specimen is under observation in a high-voltage microscope. These unusually dramatic examples emphasize the fact that for correct characterization of structural details of any crystalline material by lattice imaging microscopy particularly at surfaces, interfaces, and other defects, it is essential never to overlook the possibility that local structural features or atomic-scale defects may have been changed in the microscope prior to the recording of a micrograph or during preparation of the thin foil speciment. Electron beam induced atomic mobility combined with sequential high resolution imaging are shown to provide interesting details concerning the structure of gold and GaAs surfaces of different crystallographic orientations.

Résumé
Nous donnons des exemples illustrant les changements rapides qui peuvent avoir lieu lorsqu'un échantillon en fine feuille est observé dans un microscope à haut voltage. Ces exemples, exceptionnellement spectaculaires, soulignent le fait que, pour une caractérisation correcte de détails structuraux de n'importe quel matériau cristallin par microscopie d'imagerie (particulièrement des surfaces, interfaces et autres défauts), il est essentiel de ne jamais négliger la possibilité que des effets structuraux locaux ou des défauts à l'échelle atomique aient pu être modifiés dans le microscope avant la prise de la micrographie ou pendant la préparation de l' échantillon en fine feuille. La mobilité atomique induite par le faisceau électronique alliée à l'imagerie séquentielle à haute résolution conduisent à l'observation d'intéressants détails structuraux sur des surfaces d'or et de GaAs dans différentes orientations cristallographiques.

PACS
6837 - Microscopy of surfaces, interfaces, and thin films.
6835 - Solid surfaces and solid-solid interfaces: Structure and energetics.
6180F - Electron and positron radiation effects.

Key words
electron beam effects -- electron microscopy -- gallium arsenide -- gold -- III V semiconductors -- specimen preparation