Numéro
J. Phys. France
Volume 46, Numéro 7, juillet 1985
Page(s) 1185 - 1192
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019850046070118500
J. Phys. France 46, 1185-1192 (1985)
DOI: 10.1051/jphys:019850046070118500

Mobilité dans PbTe de type n au-dessous de 50 K

R. Granger, A. Lasbley, C.M. Pelletier et S. Rolland

Laboratoire de Physique des Solides, I.N.S.A., 35043 Rennes Cedex, France


Abstract
Abstrac. - n type lead telluride mobility is calculated at low temperatures, taking into account phonon dispersion. Ionized impurity dispersion is calculated with a screened Coulomb potential plus a short range one. The results of an iterative calculation of the mobility show that it is not possible to rule out acoustical dispersion, whose importance is comparable with that on ionized impurities. Comparison with experimental results in cases where compensation is negligible indicates that the short range part of the potential in ionized impurity scattering must not be taken into account In other situations, experimental results are described fairly well by a realistic compensation.


Résumé
La mobilité dans le tellurure de plomb de type n est évaluée aux basses températures en incluant la dispersion sur les phonons. La dispersion sur les impuretés ionisées est traitée avec un potentiel de Coulomb écranté et un potentiel à courte distance. Les résultats des calculs de mobilité, faits par une méthode itérative, montrent qu'il n'est pas possible d'ignorer la dispersion sur les phonons acoustiques qui est d'importance comparable à celle sur les impuretés ionisées. La comparaison avec les résultats expérimentaux dans les cas où la compensation est négligeable permet d'affirmer qu'il ne faut pas faire intervenir de potentiel à courte distance dans la dispersion par les impuretés ionisées. Dans les autres situations une compensation réaliste permet de décrire les résultats expérimentaux.

PACS
7220F - Low-field transport and mobility; piezoresistance.
7280J - Other crystalline inorganic semiconductors.

Key words
carrier mobility -- impurity scattering -- IV VI semiconductors -- lead compounds