J. Phys. France 45, 1197-1211 (1984)
DOI: 10.1051/jphys:019840045070119700

Barrière de surface d'un semiconducteur en fonction de la température dans le cas de distributions complexes d'états. Calcul et exploitation

J. Bonnet, L. Soonckindt, J.M. Palau, H. Mansour et L. Lassabatère

Laboratoire d'études des Surfaces, Interfaces et Composants , U.S.T.L., place Eugène Bataillon, 34060 Montpellier Cedex, France

Abstract
The results of a systematic study of the surface barrier height variations of a semiconductor versus temperature for complex surface state distributions (two discrete acceptor states, one discrete acceptor and one discrete donor, a uniform continuum distribution, a Gaussian distribution) are given. Then we show what is the behaviour of the surface, what surface properties can be determined and discuss how to make obvious the existence of these state distributions.

Résumé
Pour interpréter les variations du travail de sortie des semiconducteurs avec la température on est conduit, à partir des différents modèles plausibles de distribution des états électroniques de surface à rechercher les variations de la barrière induite par ces états lorsque la température varie. Dans cet article, nous étudions de façon systématique les variations de la barrière de surface d'un semiconducteur en fonction de la température, dans le cas d'une distribution d'états complexes (deux états accepteurs discrets, un accepteur et un donneur discrets, un continuum uniforme, une distribution gaussienne). Nous montrons quel est alors le comportement de la surface, quelles caractéristiques peuvent être déterminées, et discutons de la façon de mettre en évidence l'existence de ces distributions.

PACS
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7320A - Surface states, band structure, electron density of states.

Key words
impurity electron states -- semiconductors -- surface electron states