Behaviour of thin planar Sm C* samples in an electric field

Abstract
Three types of structures which can exist in planar Sm C* samples, depending on sample thickness, are described. Two critical thicknesses limiting the existence of the twisted nonhelical configuration are defined. Behaviour of this structure in an electric field is theoretically solved for simplified anchoring conditions. The critical field for the transition of the twisted structure to the homogeneous one is determined as a function of sample thickness, comparing the free energies of both structures.

Résumé
On décrit trois types de structures qui peuvent exister dans les échantillons de Sm C* planaires en fonction de l'épaisseur de l'échantillon. La structure caractérisée par la rotation de la molécule le long de l'épaisseur de l'échantillon provoquée par l'ancrage existe pour des épaisseurs comprises entre deux valeurs critiques. Le comportement de cette structure sous champ électrique est étudié théoriquement en supposant l'ancrage simplifié. La valeur critique du champ électrique pour la transition entre la structure avec torsion et la structure homogène est déterminée en fonction de l'épaisseur de l'échantillon.