J. Phys. France 44, 1041-1049 (1983)
DOI: 10.1051/jphys:019830044090104100

Acceptors in wide-gap semimagnetic semiconductors

J. Mycielski¹ et C. Rigaux<sup>1

1</sup>  Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24 rue Lhomond, 75231 Paris Cedex 05, France and Institute of Theoretical Physics, Warsaw University, 00-681 Warsaw, Poland

Abstract
Shallow acceptors in wide-gap zinc-blende-type semimagnetic semiconductors (like Cd1-xMnxTe) are considered The four-fold degenerate acceptor ground state is determined using Schechter's variational method. The exchange interaction with magnetic ions is then included and the splitting of the ground state is studied It is shown that this splitting is quenched as compared with the free-hole splitting. Matrix elements for the acceptor to conduction Landau states transitions are also calculated.

Résumé
Nous considérons les états accepteurs peu profonds dans les semiconducteurs semimagnétiques de large bande interdite, appartenant au réseau blende de zinc (comme Cd1-xMnxTe). Le quadruplet fondamental de l'accepteur est déterminé par la méthode variationnelle de Schechter. Du fait de l'interaction d'échange avec les ions magnétiques, la dégénérescence du quadruplet fondamental est levée. La séparation énergétique des composantes du quadruplet est plus faible que celle des niveaux de trous libres. Les éléments de matrice des transitions entre les niveaux accepteurs et les niveaux de Landau de la bande de conduction sont également calculés.

PACS
7155G - II-VI semiconductors.

Key words
cadmium compounds -- exchange interactions electron -- impurity electron states -- Landau levels -- magnetic semiconductors -- manganese compounds -- variational techniques