J. Phys. France 43, 939-944 (1982)
DOI: 10.1051/jphys:01982004306093900

Ag M4,5N4,5N4,5 Auger lineshape variation during the epitaxial growth of Ag onto GaAs {001}

J. Massies et Nuyen T. Linh

Thomson-CSF, Laboratoire Central de Recherches, BP 10, 91401 Orsay, France

Abstract
We report on the Ag M4,5N4,5N4,5 Auger lineshape variation which occurs during the epitaxial growth of Ag onto GaAs { 001 } layers grown in situ by MBE (molecular beam epitaxy). This variation depends strongly on the mode of growth of the metallic layer. We suggest that it is due to a solid-state effect which acts progressively in the case of a layer-by-layer (2 D) growth and more rapidly when the growth involves the formation of 3 D clusters.

Résumé
Nous reportons la variation de forme de la transition Auger M4,5N 4,5N4,5 de l'argent au cours de la croissance épitaxiale de ce métal sur des couches GaAs { 001 } obtenues in situ par la technique EJM (épitaxie par jets moléculaires). Cette variation dépend fortement du mode de croissance de la couche métallique. Nous proposons de l'expliquer par un effet d'état solide intervenant progressivement sur la forme du pic Auger lors de la croissance couche par couche (2 D) et beaucoup plus rapidement lors de la formation de cristallites (3 D).

PACS
6855 - Thin film structure and morphology.
7920F - Electron impact: Auger emission.
8115E - Vacuum deposition.

Key words
Auger effect -- gallium arsenide -- III V semiconductors -- metallic thin films -- molecular beam epitaxial growth -- silver -- substrates