J. Phys. France 42, 835-846 (1981)
DOI: 10.1051/jphys:01981004206083500

Etude par spectroscopie laser de la relaxation des populations des niveaux 1s3, 1s4, 1s5 du néon

J. Leveau et S. Valignat

Laboratoire de Spectrométrie Ionique et Moléculaire , Université de Lyon-1, 43, Bd du 11-Novembre-1918, 69622 Villeurbanne, France

Abstract
The relaxation mechanisms of the first three excited levels of neon have been investigated, under steady state, in the positive column of a low pressure gas discharge. The principle of the experiment is to measure the frequency response of the perturbation induced on the 1sj level by a sinusoidally modulated dye laser. Decay frequencies γ1s j have been determined in this way. The perturbation transfer analysis permitted us a selective investigation of the electronic destruction processes and consequently the measurement of the corresponding coefficients : C1s5-1s4 and C1sj -2pi. Results are generally in good agreement with H. W. Drawin's theory.

Résumé
Les mécanismes de relaxation des trois premiers niveaux excités du néon ont été étudiés en régime stationnaire dans la colonne positive d'une décharge basse pression. La technique utilisée consiste à observer la réponse en fréquence d'une perturbation créée sur un niveau 1sj considéré par un laser accordable modulé sinusoïdalement en puissance. Nous avons ainsi pu déterminer les fréquences globales de relaxation γ 1sj de chaque niveau. A partir de l'étude du transfert de la perturbation, nous avons pu faire une analyse sélective des processus de destruction électronique et mesurer les coefficients correspondants : C1s5- 1s4 et C1sj - 2pi. L'accord de nos résultats avec la théorie de H. W. Drawin est généralement assez bon.

PACS
3150D - Potential energy surfaces for excited electronic states.
3280B - Level crossing and optical pumping.

Key words
atomic excited states -- neon -- population inversion