Numéro
J. Phys. France
Volume 42, Numéro 3, mars 1981
Page(s) 479 - 491
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01981004203047900
J. Phys. France 42, 479-491 (1981)
DOI: 10.1051/jphys:01981004203047900

Emission de bandes larges dans ZnSe : cathodoluminescence, thermoluminescence, transitions dues aux centres profonds

G. Hitier1, D. Curie1 et R. Visocekas2

1  Laboratoire de luminescence I, Université Pierre-et-Marie-Curie, Paris VI, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
2  Laboratoire de luminescence II, Université Pierre-et-Marie-Curie, Paris VI, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France


Abstract
In this paper we study the thermal behaviour of the broad band emissions from impurity-doped and self-activated ZnSe cubic crystals. The copper red band (1.96 eV) is broadened chiefly on the low energy side when the temperature is increased while the green band (2.33 eV) vanishes near room temperature. Activation energies for thermal quenching are derived. We also study trap depths and recombination kinetics by various thermoluminescence techniques. Very low values ˜ 10 4 s-1 of the frequency factor are found for shallow traps although move typical values are obtained for the deepest traps. Retrapping phenomena are described. It was not possible to determine exact values for the trap depths of the emitting levels, although energy intervals in which these depths lie are given.


Résumé
Dans cet article nous étudions le comportement thermique des émissions de bandes larges sur des cristaux de ZnSe cubique dopés et self-activés. La bande rouge du cuivre (1,96 eV) s'élargit principalement du côté des basses énergies quand la température croît et la bande verte (2,33 eV) disparaît aux environs de la température ordinaire. Nous obtenons les énergies d'activation thermique. Nous étudions aussi les profondeurs des pièges par différentes techniques de thermoluminescence ainsi que les cinétiques de recombinaison. Des valeurs très faibles ˜ 104 s-1 du facteur de fréquence sont trouvées pour les pièges peu profonds, alors qu'elles sont normales pour les pièges profonds. Un phénomène de recapture est décrit. Il n'est pas possible de déterminer exactement les profondeurs des niveaux émetteurs, mais on peut fixer leur profondeur dans un intervalle d'énergie.

PACS
7155G - II-VI semiconductors.
7860H - Cathodoluminescence, ionoluminescence.
7860K - Thermoluminescence.

Key words
cathodoluminescence -- deep levels -- electron traps -- II VI semiconductors -- luminescence of inorganic solids -- thermoluminescence -- zinc compounds