J. Phys. France 41, 667-676 (1980)
DOI: 10.1051/jphys:01980004107066700

Band structure model and electrostatic effects in third and fourth stages of graphite acceptor compounds

J. Blinowski^{1, 2} et C. Rigaux<sup>1

1</sup>  Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24, rue Lhomond, 75231 Paris, France
²  Permanent address : Institute of Theoretical Physics, University of Warsaw, Poland.

Abstract
The model of independent graphite subsystems is extended to describe the electronic states in stages 3 and 4 of GAC. The electrostatic effects related to the nonequivalence of the internal and external graphite layers are proved to induce a non uniform charge distribution in the system, and also to modify drastically the band structure. Interband optical transitions are analysed within this model. With a charge transfer coefficient comparable to the value obtained for lowest stages of GAC, the expected energies of the intervalence transitions are close to the energies of the reflectivity structures observed experimentally.

Résumé
Nous décrivons la structure des niveaux électroniques dans les composés d'accepteur de stades 3 et 4, en utilisant le modèle des sous-systèmes indépendants. Les effets électrostatiques, dus à la non-équivalence des couches de graphite internes et externes, induisent une distribution de charge non uniforrne dans chaque système mais aussi modifient considérablement la structure de bandes. Les transitions optiques interbandes sont analysées dans ce modèle. Pour un transfert de charge comparable à celui qui a été obtenu pour les premiers stades des composés d'accepteur, les énergies des transitions intervalence, prévues par ce modèle, sont en bon accord avec les données expérimentales.

PACS
7120N - Semiconductor compounds.

Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- graphite -- intercalation compounds