J. Phys. France 41, 443-452 (1980)
DOI: 10.1051/jphys:01980004105044300

Emission excitonique dans ZnSe : largeurs de raies, énergies d'activation thermiques et optiques

G. Hitier

Laboratoire de Luminescence I, Université Pierre-et-Marie-Curie (Paris VI), 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France

Abstract
A systematic study of free and bound exciton emission versus temperature has been performed upon various samples of zinc selenide. In samples annealed in selenium vapour, the I1 and I1Deep lines are particularly well observed. The widths of the phonon replicas grow larger while the number of emitted phonons is increased. Channel decays for bound exciton complexes are discussed, and the effective processes are not the same as those found by previous authors for bound excitons in GaAs samples. In addition, we find thermal activation énergies which are slightly smaller than the optical binding énergies of the excitons.

Résumé
Une étude systématique des émissions d'excitons libres et liés en fonction de la température a été faite sur différents échantillons de ZnSe. Dans des échantillons recuits dans de la vapeur de sélénium, les raies I 1 et I1Deep sont particulièrement bien observées. Les largeurs des répliques phonon deviennent de plus en plus grandes avec le nombre de phonons émis. Les processus de désexcitation des complexes excitons liés sont discutés et les processus effectifs ne sont pas les mêmes que ceux trouvés par d'autres auteurs pour des excitons liés dans des échantillons de GaAs. De plus, nous trouvons des énergies d'activation thermique qui sont légèrement plus faibles que les énergies de liaison optique des excitons.

PACS
7135 - Excitons and related phenomena.
7855 - Photoluminescence, properties and materials.

Key words
binding energy -- excitons -- II VI semiconductors -- luminescence of inorganic solids -- phonon exciton interactions -- photoluminescence -- spectral line breadth -- zinc compounds