J. Phys. France 41, 403-407 (1980)
DOI: 10.1051/jphys:01980004105040300

Implantation of 18O+ ions in channelling directions of aluminium, copper and nickel single crystals - I. - Experimental conditions and range profile determination

M. Meyer, C. El Houch et S. Barbezat

Laboratoire de Physique des Matériaux, C.N.R.S., 1, place A.-Briand, 92190 Meudon, France

Abstract
18O+ ions with energies ranging from 10 to 45 keV have been implanted along the < 110 > or < 100 > directions of A1, Ni and Cu single crystals. The experimental techniques used to prepare the samples and to perform the implantations are described. The implantation profiles are determined with an ion probe microanalyser. They are characteristic of channelling implantation and vary with the energy of the 18O+ ions, the direction of implantation and the nature of the target.

Résumé
Des ions 18O+, dont l'énergie est comprise entre 10 et 45 keV, sont implantés dans des monocristaux de Al, Ni et Cu, parallèlement à des directions < 110 > ou < 100 >. Les techniques expérimentales utilisées pour préparer les échantillons et pour réaliser les implantations sont décrites. La détermination des profils d'implantation se fait à l'aide d'un microanalyseur à sonde ionique. Ceux-ci sont caractéristiques d'une implantation en canalisation et varient avec l'énergie des ions 18O+, la direction d'implantation et la nature du matériau étudié.

PACS
6172S - Impurity concentration, distribution, and gradients.
6185 - Channeling phenomena (blocking, energy loss, etc.).

Key words
aluminium -- channelling -- copper -- ion implantation -- ion microprobe analysis -- nickel -- oxygen