J. Phys. France 40, 1063-1066 (1979)
DOI: 10.1051/jphys:0197900400110106300

Effects of zinc anneals in the (400-550 °C) range on the acceptor concentration in ZnTe

D. Bensahel

Centre d'Etudes Nucléaires de Grenoble, Département de Recherche Fondamentale, Section de Physique du Solide, 85 X, 38041 Grenoble, France

Abstract
Annealing ZnTe in Zinc vapour at 400-550 °C gives two effects : within the bulk of the samples, impurities (copper and lithium) are released from the Te excess and act as CuZn and LiZn. On the surface, an electrically compensated zone is created. The result of these effects is the appearance of an acceptor bump located below the surface exposed to a short time anneal under zinc pressure.

Résumé
Les recuits thermiques à (400-550 °C) sous vapeur de zinc dans le ZnTe ont deux effets : dans le coeur des échantillons, on libère les impuretés cuivre et lithium qui passent en site accepteur Cuzn et Li zn. La surface des échantillons exposée aux vapeurs de zinc devient compensée. Le raccord entre les deux effets est traduit dans des recuits de courte durée par l'existence d'une bosse d'accepteurs située sous la surface exposée aux vapeurs de zinc.

PACS
6172S - Impurity concentration, distribution, and gradients.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.
2520D - Photon absorption and scattering.

Key words
annealing -- doping profiles -- II VI semiconductors -- impurity electron states -- zinc compounds