| Numéro |
J. Phys. France
Volume 40, Numéro 3, mars 1979
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| Page(s) | 321 - 324 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01979004003032100 | |
J. Phys. France 40, 321-324 (1979)
DOI: 10.1051/jphys:01979004003032100
Centre d'Etudes Nucléaires de Grenoble, Département de Recherche Fondamentale, Section de Physique du Solide, 85X, 38041 Grenoble, France
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7722J - Dielectric breakdown and space-charge effects.
Key words
electron hole recombination -- II VI semiconductors -- indium -- minority carriers -- photocapacitance -- Schottky barrier diodes -- space charge -- zinc compounds
DOI: 10.1051/jphys:01979004003032100
Observation par photocapacité du dépiégeage au bord de la charge d'espace
B. Katircioglu et J.L. PautratCentre d'Etudes Nucléaires de Grenoble, Département de Recherche Fondamentale, Section de Physique du Solide, 85X, 38041 Grenoble, France
Abstract
Capacitance measurements have been made on Schottky diodes In/ZnTe. If the semiconductor surface has been damaged by an ion implantation the device shows trapping centres, whose electronic level is near the midgap. It is shown that the trapped electrons recombine with free holes at the edge of the space charge region within a temperature dependent length.
Résumé
La mesure de capacité de diodes Schottky In/ZnTe dans lesquelles la surface du semiconducteur a été endommagée par une implantation ionique montre un piégeage électronique dans des niveaux voisins du milieu de la bande interdite. Les électrons piégés se recombinent au bord de la charge d'espace par capture de trous libres sur une longueur dépendant de la température.
7330 - Surface double layers, Schottky barriers, and work functions.
7722J - Dielectric breakdown and space-charge effects.
Key words
electron hole recombination -- II VI semiconductors -- indium -- minority carriers -- photocapacitance -- Schottky barrier diodes -- space charge -- zinc compounds