J. Phys. France 38, 1097-1103 (1977)
DOI: 10.1051/jphys:019770038090109700

Dc Hall effect measurements on ttf-tcnq

J.R. Cooper¹, M. Miljak¹, G. Delplanque², D. Jérome², M. Weger², J.M. Fabre³ et L. Giral<sup>3

1</sup>  Institute of Physics of the University, POB 304, Zagreb, Yugoslavia
²  Laboratoire de Physique des Solides, Orsay, France
³  Laboratoire de Chimie Organique Structurale USTL 34060 Montpellier, France

Abstract
Some DC Hall effect measurements have been made on single crystals of TTF-TCNQ in the metallic region, at atmospheric pressure and under pressure of 6 kbars. For the field orientation employed here (H parallel to the crystalline a axis) the average value of the low field Hall coefficient is - 4.2 ± 0.6 x 10-11 Vcm/AG at room temperature which is approximately consistent with other estimates of the electron density. The influence of the electrical contacts is discussed in detail and the temperature dependence of RH is compared with previous work on HMTSF-TCNQ.

Résumé
Des mesures de l'effet Hall ont été réalisées sur des monocristaux de TTF-TCNQ dans la région métallique à pression atmosphérique et sous pression de 6 kbars. Avec l'orientation du champ magnétique utilisée dans cette étude (H parallèle à l'axe cristallin a), la valeur moyenne du coefficient de Hall en bas champ vaut - 4,2 ± 0,6 x 10-11 Vcm/AG à température ambiante. Cette valeur est en accord approximatif avec les autres estimations de la densité électronique. Nous avons détaillé l'influence des contacts électriques et comparé la dépendance de RH en fonction de la température avec celle d'un travail précédent sur HMTSF-TCNQ.

PACS
7215G - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects.
7215N - Collective modes (e.g., in one-dimensional conductors).

Key words
Hall effect -- high pressure effects in solids -- one dimensional conductivity -- organic compounds