| Numéro |
J. Phys. France
Volume 38, Numéro 8, août 1977
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| Page(s) | 921 - 929 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01977003808092100 | |
DOI: 10.1051/jphys:01977003808092100
A tight-binding calculation of the chemical shift in trigonal selenium and tellurium
M. Bensoussan1 et M. Lannoo21 C.N.E.T., 196, rue de Paris, 92220 Bagneux, France
2 Equipe de Physique des Solides du L.A. au C.N.R.S. N° 253, I.S.E.N., 3, rue F.-Bads, 59046 Lille, France
Abstract
A detailed calculation of the chemical shift tensor in trigonal selenium and tellurium is presented. It is based on a tight-binding model where interactions between suitably defined molecular orbitals are taken into account by second order perturbation theory. The diagonal part of the tensor can completely be interpreted using reasonable values for the parameters. The results are in agreement with optical results which show that there is a substantial amount of bonding character in the upper valence band. With these values for the parameters the model cannot reproduce the sign of the non diagonal term. Possible reasons for this discrepancy are discussed.
Résumé
Nous présentons un calcul détaillé du tenseur de déplacement chimique dans le sélénium et le tellure trigonaux. Ce calcul est fondé sur un modèle en liaisons fortes où les interactions, entre orbitales moléculaires convenablement définies, sont prises en compte par un traitement de perturbation au second ordre. La partie diagonale du tenseur peut être complètement interprétée en utilisant des valeurs raisonnables pour les paramètres. Les résultats sont en accord avec les spectres optiques qui font ressortir un important caractère liant dans la bande de valence supérieure. Avec ces valeurs pour les paramètres on ne peut pas rendre compte du signe du terme non diagonal. Les raisons possibles de ce désaccord sont discutées.
7120M - Elemental semiconductors.
7660C - Chemical and Knight shifts.
Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- chemical shift -- elemental semiconductors -- nuclear magnetic resonance -- selenium -- tellurium -- tight binding calculations -- valence bands