Numéro |
J. Phys. France
Volume 37, Numéro 2, février 1976
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Page(s) | 159 - 164 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01976003702015900 |
DOI: 10.1051/jphys:01976003702015900
Driving force for the electromigration of an impurity in a homogeneous metal
L. Turban1, P. Nozières2 et M. Gerl11 Laboratoire de Physique du Solide. Université de Nancy-I, C.O. 140, 54037 Nancy-cedex, France
2 Institut Laue-Langevin, B.P. 156, Centre de Tri, 38042 Grenoble-cedex, France
Abstract
Through a microscopic analysis the thermodynamic definition of the effective valence as the flux of electric charge associated with a unit flux of the solute is shown to be equivalent to the usual definition in terms of the force acting on the impurity in an electric field. Using the thermodynamics of irreversible processes, we show that the force acting on an impurity is proportional to its specific resistivity in the host metal, whatever the strength of the impurity potential.
Résumé
Par une analyse microscopique, nous montrons que les deux définitions de la valence efficace, l'une en termes de flux de charge associé au déplacement du défaut, l'autre en termes de force agissant sur l'impureté, sont équivalentes. D'autre part, en utilisant la thermodynamique des processus irréversibles, nous montrons que la force sur une impureté est proportionnelle à sa résistivité spécifique dans la matrice, quel que soit le potentiel d'impureté.
6630J - Diffusion of impurities.
Key words
electromigration -- metals -- thermodynamics