Contribution de la bande d à l'énergie de liaison d'une bilacune dans les métaux de transition

Abstract
The contribution of the d-band to the binding energy EB 2V of a divacancy in transition metals is determined in a tight binding approximation ; the amount of displaced charge in each of the irreducible representations of the point group of the defect and the charge density round the defect are calculated. Values of the order 0.35, 0.40 and 0.50 eV are obtained in the first, second and third series respectively. These values must be slightly reduced to take account of the repulsive short range ion-ion interactions.

Résumé
La contribution de la bande d des métaux de transition à l'énergie de liaison EB2V d'une bilacune est calculée dans une approximation de liaisons fortes ; la charge déplacée dans les différents modes de symétrie ponctuelle du défaut, la densité de charge sur les voisins sont également déterminées. Les énergies obtenues dans un calcul self-consistant ou non self-consistant sont voisines et sensiblement constantes le long des trois séries et de l'ordre de 0,35, 0,40 et 0,50 eV pour les métaux des première, seconde et troisième séries de transition. Ces valeurs doivent être légèrement diminuées si l'on tient compte des répulsions ion-ion.