Numéro
J. Phys. France
Volume 35, Numéro 4, avril 1974
Page(s) 377 - 384
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01974003504037700
J. Phys. France 35, 377-384 (1974)
DOI: 10.1051/jphys:01974003504037700

Étude de films constitués de solution solide plomb-bismuth a concentration modulée spatialement

C. Petipas, H. Raffy et G. Sauvage

Laboratoire de Physique des Solides, Université de Paris-Sud, 91405 Orsay, France


Abstract
Bi-concentration-modulated films were fabricated by simultaneous evaporation of Pb and Bi, the rate of the bismuth evaporation varying with time while that of Pb was kept constant. The modulation of Bi concentration has been investigated by an X-ray diffraction technique.


Résumé
Des films formés de solution solide Pb-Bi riche en plomb dont la concentration en bismuth varie spatialement ont été obtenus en évaporant sous vide simultanément du plomb et du bismuth ; la vitesse d'évaporation du bismuth varie au cours du temps, celle du plomb est maintenue constante. Ces modulations de concentration sont mises en évidence et analysées par diffraction des rayons X.

PACS
8115K - Vapor phase epitaxy; growth from vapor phase.

Key words
bismuth alloys -- crystal atomic structure of alloys -- crystal growth from vapour -- lead alloys -- metallic thin films -- superconducting thin films