Étude de l'émission électronique secondaire du Ge ;Influence de la température

Abstract
The true secondary emission from electron bombarded germanium is investigated. The influence of the target temperature upon the yield and the energy distribution of secondaries is studied. The results are explained in term of collective excitations and escape depths of secondaries electrons. The structures found on the energy distribution curves are attributed to final levels of interband and Auger transitions.

Résumé
Nous avons étudié l'émission électronique secondaire du Germanium et déterminé l'influence de la température de la cible sur les taux d'émission et sur les distributions d'énergie des secondaires vrais. Nous avons proposé une interprétation des résultats obtenus en considérant les interactions collectives et les variations des profondeurs d'émission des secondaires. D'autre part nous avons identifié les pics de structure fine des courbes de distribution d'énergie comme niveaux finals de transitions interbandes et Auger.