J. Phys. France 31, 73-77 (1970)
DOI: 10.1051/jphys:0197000310107300

Etude de la variation de la différence d'énergie entre les deux premières bandes de conduction du GaSb avec la pression hydrostatique

G. Bougnot, M. Averous et J. Calas

Centre d'Études d'Électronique des Solides de Montpellier (associé au C.N.R.S.)

Abstract
We develop the theory of the variations with hydrostatic pressure of Δ E, the energy difference between the conduction bands (000) and (111) of a semiconductor such as GaSb. We take into account the variations of population and mobility of each band when the Fermi level and effective masses change. We apply the theoretical results to GaSb and we show that the two bands (000) and (111) get nearer when pressure increases. We find dΔE/dP equal to 5.5x10^-6 eV/bar; this value is closed to Kosicki's result which is 5×10^-6 eV/bar, if the variations of mobility are neglected.

Résumé
Nous développons la théorie de la variation de ΔE, différence d'énergie entre les bandes de conduction (000) et (111) d'un semiconducteur comme GaSb, avec la pression. Pour cela, nous tenons compte des variations de population et des variations de mobilité de chaque bande lorsque le niveau de Fermi et les masses effectives varient. Nous appliquons les résultats théoriques obtenus au GaSb et nous confirmons que les deux bandes (000) et (111) se rapprochent lorsque la pression augmente [2], [11], [14], [15]. La valeur de dΔE/dP trouvée est de 5,5x10^-6 eV/bar et est voisine de celle trouvée par Kosicki [9], [16] qui donne 5×10-6 eV/bar, en négligeant les variations de mobilité.

PACS
7120 - Electron density of states and band structure of crystalline solids.
7220 - Conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
8530 - Semiconductor devices.

Key words
band structure -- gallium compounds -- semiconductor materials