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J. Phys. France
Volume 31, Numéro 1, janvier 1970
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| Page(s) | 121 - 123 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01970003101012100 | |
J. Phys. France 31, 121-123 (1970)
DOI: 10.1051/jphys:01970003101012100
Laboratoire de Magnétisme et de Physique des Solides, C.N.R.S., 92-Meudon-Bellevue
7830A - Elemental semiconductors and insulators.
7820 - Optical properties of bulk materials and thin films.
Key words
band structure -- bismuth compounds -- light absorption -- reflectivity -- semiconductor materials
DOI: 10.1051/jphys:01970003101012100
Propriétés optiques du semiconducteur BiTeI
J. HorakLaboratoire de Magnétisme et de Physique des Solides, C.N.R.S., 92-Meudon-Bellevue
Abstract
Through measurements of optical absorption and reflectivlity of BiTeI crystals, the following results are obtained : energy band gap Eg = 0.39 eV, electron effective mass me = 0.20 - 0.25 m0 for n = 3.5 - 7.6 x 10^19 cm-3, dielectric constant εL = 14.5.
Résumé
Au moyen de mesures d'absorption optique et de réflectivité de cristaux de BiTeI, on obtient la largeur de bande interdite Eg = 0,39 eV, la masse effective électronique me = 0,20 - 0,25 m0 pour n = 3,5 - 7,6 x 10^19 cm-3, la constante diélectrique εL = 14,5.
7830A - Elemental semiconductors and insulators.
7820 - Optical properties of bulk materials and thin films.
Key words
band structure -- bismuth compounds -- light absorption -- reflectivity -- semiconductor materials