Numéro |
J. Phys. France
Volume 29, Numéro 10, octobre 1968
|
|
---|---|---|
Page(s) | 937 - 940 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:019680029010093700 |
DOI: 10.1051/jphys:019680029010093700
Influence de la structure sur l'effet Hall des lames minces de nickel phosphore
Jean Fléchon et Maurice ViardLaboratoire de Physique de Dépôts Métalliques, Faculté des Sciences, Nancy
Abstract
The Hall effect of thin deposits of phosphor-nickel obtained by oxidoreduction in the liquid phase is studied in vacuo (2 × 10-6 torr) at various temperatures (- 100 °C, + 400 °C). When the substance is amorphous, the effect increases with decreasing temperature ; the opposite effect is observed when crystallization has taken place. In both cases, the conductivity is of electronic character. The R0 and R1 coefficients are negative. The results obtained are in keeping with prevailing theories.
Résumé
L'effet Hall des lames minces de nickel phosphore préparées par oxydoréduction en phase liquide [1-2] est étudié sous vide classique (2 x 10-6 torr) à différentes températures après stabilisation préalable du matériau. Si la substance est amorphe, l'effet varie en sens inverse de la température de mesure et dans le même sens qu'elle lorsque la cristallisation s'est produite. Dans les deux cas, la conductivité est électronique : les coefficients R0 et R1 sont négatifs. Les résultats sont en bon accord avec les théories existantes.
72 - Electronic transport in condensed matter.
7220 - Conductivity phenomena in semiconductors and insulators.
7361 - Electrical properties of specific thin films.
Key words
crystal microstructure -- Hall effect -- thick films -- thin films