Origine des parois kπ et des parois mobiles dans un ferrite à anisotropie induite

Abstract
We show that fixed domain walls (kπ) and mobile domain walls, observed in a single nickel ferrite crystal with 0.1 % of cobalt oxide, have their origin in the existence of an anisotropy induced at about 450 °C, and in a domain subdivision during the cooling. We define the characteristics of what we call "Γ anisotropy-walls" created in the diffusion temperature zone, and those of the "spins-wall" which they include ; we define also the spin configurations achieved after a 180° mobile domain wall emission or absorption. The origin of mobile domain walls is discussed, and we compare the experimental properties of fixed kπ domain walls with those deduced from the proposed models.

Résumé
On établit que les parois fixes (kπ) et les parois mobiles, que l'on observe sur un monocristal de ferrite de Ni contenant ≈ 0,1 % d'oxyde de cobalt, trouvent leur origine dans l'existence d'une anisotropie induite vers 450 °C et dans le fait d'une subdivision en domaines au cours du refroidissement. On définit les caractéristiques des parois d'anisotropie Γ créées dans la bande de température de diffusion et celles de la paroi de spins qu'elles contiennent, ainsi que les configurations de spins obtenues après émission ou absorption d'une paroi mobile à 180°. L'origine des parois mobiles est discutée et l'on compare les propriétés expérimentales des parois kπ avec celles qui découlent des modèles proposés.