Recherches expérimentales sur l'émission électronique secondaire d'une surface métallique sous l'impact d'un jet moléculaire de haute énergie

Abstract
The goal we set ourselves in carrying out this research was to determine the influence of numerous factors on the variation of γ, i. e. the secondary electronic emission yield produced by the impact of high energy molecules on a metallic surface. After setting up a method for measuring γ, we have succeeded in showing the influence of outgassing the surface, of the energy of the incident molecules, as well as the influence of the nature of the surface and its temperature. We have also studied the influence of contamination of the solid surface, the influence of the angle of incidence and, in addition, the influence of the nature of the incident molecules and their atomicity. As a result of the excellent reproductivity of the measurements carried out on tungsten under the impact of molecular beams of different nature, we suggest applying the measurement of the secondary electronic current emitted by the tungsten brought to a temperature ranging between 600° and 800 °C, in order to determine the intensities of very low molecular beams. We are now able to measure the intensities of molecular beams ranging between 103 to 104 mol./cm 2.s at an energy ranging about 3 000 electron-volts.

Résumé
Ces recherches ont eu pour but de déterminer l'influence de nombreux facteurs sur la variation du γ, taux d'émission électronique secondaire, produit par l'impact de molécules de haute énergie sur une surface métallique. Après avoir mis au point une méthode de mesure absolue du γ, on a mis en évidence les influences du dégazage de la surface, de l'énergie des molécules incidentes, de la nature de la surface et de sa température, d'une contamination de la surface solide, de l'angle d'incidence, et également de la nature des molécules incidentes et de leur atomicité. Par suite de la reproductibilité excellente des mesures du γ du tungstène sous l'impact de jets moléculaires de nature différente, on utilise la mesure du courant électronique secondaire émis par le tungstène porté à une température comprise entre 600° et 800 °C pour la détermination de l'intensité de jets moléculaires très faibles. On mesure ainsi, à une énergie de l'ordre de 3 000 électron-volts, des intensités de jets moléculaires de l'ordre de 103 à 104 mol./cm2 . s.