Numéro |
J. Phys. France
Volume 27, Numéro 1-2, janvier-février 1966
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Page(s) | 45 - 50 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:01966002701-204500 |
DOI: 10.1051/jphys:01966002701-204500
Forme « semi-classique » des raies de résonance cyclotron dans les semiconducteurs avec des surfaces d'énergie constante quelconque. Cas de la bande de valence du germanium
W. Mercouroff1 et P. Nozières21 Laboratoire de Physique du Solide de la Faculté des Sciences de Caen
2 Laboratoire de Physique de l'École Normale Supérieure
Abstract
A method for calculating the shape of cyclotron resonance lines is worked out. The starting point is the semi-classical treatment of charge carrier dynamics in a constant magnetic field for constant energy surfaces of arbitrary shapes. This method is applied to the valence band of germanium. A numerical calculation shows that, besides the " principal " lines, " secondary " ones may appear : they are linked to either extremal cyclotron effective masses for kz ≠ 0, or limiting masses. Experimental check gives précise coefficients for the valence band of germanium (A = 13.21 ; |B| = 8.15 ; C = 13.2).
Résumé
On donne une méthode de calcul de la forme des raies de résonance cyclotron à partir de la théorie semi-classique du mouvement des porteurs de charge en présence d'une induction magnétique constante, pour des surfaces d'énergie constante quelconques. La méthode est appliquée à la bande de valence du germanium. Le calcul numérique montre qu'à côté des raies « principales », il peut apparaître des maxima d'absorption « secondaires », liés soit à des masses effectives cyclotron extrêmales pour kz ≠ 0, soit à des masses limite. La confrontation avec l'expérience permet de préciser les coeffcients de la bande de valence du germanium (A = 13,21; |B| = 8,15 ; C = 13,2).
7280 - Conductivity of specific materials.
7120 - Electron density of states and band structure of crystalline solids.
Key words
cyclotron resonance -- germanium -- elemental semiconductors