J. Phys. France 26, 637-638 (1965)
DOI: 10.1051/jphys:019650026011063700

A method for determining the magnitude of the Raman scattering matrix element for diamond-type crystals

E. Burstein et S. Ganesan

Laboratory for Research on the Structure of Matter and Physics Department, University of Pennsylvania, Philadelphia, Pa., U. S. A.

Abstract
A discussion is presented of the mechanism for the electric field induced first order infrared absorption band in diamond-type crystals. The strength of the induced band is determined by the dependence of the electronic polarization on the relative atomic displacements in the unit cell. A measurement of the absorption constant of the induced band should therefore provide quantitative information about the first order Raman scattering matrix elements. The phenomenon of field induced infrared absorption bands should also exist for Raman active modes in other centrosymmetric crystal structures, and for Raman active impurity modes.

Résumé
On discute le mécanisme qui produit la bande d'absorption infrarouge du premier ordre induite par un champ électrique dans les cristaux du type diamant. L'intensité de cette bande est déterminée par la relation entre la polarisation électrique et le déplacement atomique dans la maille. La mesure de la constante d'absorption de la bande induite devrait donc fournir des renseignements quantitatifs sur les éléments de la matrice de diffusion Raman du premier ordre. Ce phénomène d'induction de bandes infrarouges par le champ électrique doit se produire aussi pour des modes actifs en Raman, dans d'autres structures cristallines à centre de symétrie, et pour des modes d'impuretés actifs en Raman.

PACS
78 - Optical properties, condensed-matter spectroscopy and other interactions of radiation and particles with condensed matter.

Key words
electric field effects -- electro optical effects -- Raman spectra -- light scattering -- spectra