Numéro
J. Phys. France
Volume 26, Numéro 5, mai 1965
Page(s) 249 - 252
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01965002605024900
J. Phys. France 26, 249-252 (1965)
DOI: 10.1051/jphys:01965002605024900

Sur la théorie des phénomènes de transport dans les semiconducteurs

Ioan Licea

Faculté de Physique, Université de Bucarest


Abstract
In this work an extension is given of the generalized " average energy gain " method proposed in [3, 4] for the study of transport phenomena in semiconductors in the case where there is a concentration gradient, so the method is also useful for the description of the magnetodiffusion effects.


Résumé
Dans ce travail on donne une extension de la méthode généralisée du « gain moyen d'énergie » proposée en [3, 4] pour l'étude des phénomènes de transport dans les semiconducteurs, dans le cas où il existe un gradient de concentration. Cette méthode devient ainsi utilisable pour décrire aussi les effets de magnétodiffusion.

PACS
7220 - Conductivity phenomena in semiconductors and insulators.

Key words
semiconductors