J. Phys. France 25, 1004-1012 (1964)
DOI: 10.1051/jphys:0196400250120100400

Recuits de la résistivité électrique produite dans le cuivre par trempe et par irradiation - I. comparaison des trempes sous atmosphère d'hélium et sous atmosphère d'hydrogène.

A. Lucasson, P. Lucasson et CL. Budin

Laboratoire de Chimie Physique, Faculté des Sciences de Paris, Centre d'Orsay, Orsay, Seine-et-Oise

Abstract
A specimen of copper has been in turn quenched in a hydrogen atmosphère and in a helium atmosphère. After each of thèse quenches, isothermal or isochronal anneals were performed in order to compare the mobilities of the point defects produced. Near room tempe-rature, the activation energies for motion have been found equal to 0.77 ± 0 10 eV after helium quenches and to 0.80 ± 0.06 eV after hydrogen quenches. Between - 30 °C and + 50 °C, the isochronal curves (in percent of annealed resistivity) are identical. We conclude that it is not possible to distinguish a difference in the mobility of the point defects produced in either case.

Résumé
Un même échantillon de cuivre a subi successivement des trempes en atmosphère d'hydrogène et des trempes en atmosphère d'hélium. Chacune de ces trempes était suivie de recuits isothermes ou isochrones, en vue de comparer les mobilités des défauts ponctuels créés par la trempe. Aux environs de la température ordinaire les énergies d'activation pour le mouvement ont été trouvées égales à 0,77 ± 0,10 eV après trempes dans l'hélium et à 0,80 ± 0,06 eV après trempes dans l'hydrogène. De plus, entre - 30 °C et + 50 °C, les isochrones (exprimées en pour cent de résistivité disparue) sont confondues. On en conclut qu'il n'est pas possible de distinguer la mobilité produits dans l'un ou l'autre cas.

PACS
7280G - Transition-metal compounds.
6172 - Defects and impurities in crystals; microstructure.
8140G - Other heat and thermomechanical treatments.

Key words
electrical conductivity -- copper -- crystal defects -- heat treatment