Détermination simultanée du paramètre de diffusion et du libre parcours moyen des électrons de conduction dans les couches minces

Abstract
Combined study of the optical properties and of the electrical resistivity of a thin film of known thickness, enables simultaneous unequivocal détermination of both the mean free path l of the conduction electrons, and the fraction p of them which is specularly reflected on the two planes limiting the film. The method described, applied to thin Au films, shows that the scattering parameter p may be différent from zero for thin films prepared by vacuum evaporation on amorphous substrates and annealed at suitable temperatures.

Résumé
L'étude combinée des propriétés optiques et de la résistivité électrique d'une couche mince d'épaisseur connue, permet la détermination simultanée et univoque du libre parcours moyen l des électrons de conduction et de la fraction p d'entr'eux réfléchie « spéculairement » sur les deux plans limitant la couche mince - la méthode décrite, appliquée à des couches minces d'or, montre que le paramètre de diffusion p peut être différent de 0 pour des couches minces préparées par évaporation sous vide sur support amorphe, et recuites à températures convenables.