Effets de l'irradiation par des protons sur les propriétés du silicium

Abstract
Previous studies [1], [2] have been made of the diffusion enhancement in high temperature proton irradiated silicon crystals, revealed by the displacement of an n-p junction. Lang's method has been made use of to study the defects created by irradiation. The whole thickness of the crystal may be perturbed. The perturbation disappears after etching away of the region where the defects have been created, 10 μ from the surface (depth of penetration of the protons).

Résumé
Des études précédentes [1], [2] ont été faites sur l'accélération de la diffusion dans le silicium sous l'action de l'irradiation par des protons à haute température, mise en évidence par le mouvement d'une jonction n-p. La méthode de Lang a été utilisée pour observer les défauts créés. La perturbation du réseau peut s'étendre à toute l'épaisseur du cristal. Elle disparaît si on enlève la région où ont été créés les défauts, située à 10 μ. de la surface, profondeur de pénétration des protons.