Numéro
J. Phys. France
Volume 24, Numéro 7, juillet 1963
Page(s) 458 - 464
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:01963002407045800
J. Phys. France 24, 458-464 (1963)
DOI: 10.1051/jphys:01963002407045800

Effets des rayonnements sur les semiconducteurs

Pierre Baruch

École Normale Supérieure, Laboratoire de Physique


Abstract
A review is given of current knowledge about radiation induced defects in semiconductors and about their influence on properties of these materials. Recent work has shown the importance of interactions between these defects and impurities, other defects or electron population. Such interactions modify the structure, stability and effects of radiation defects. Specific examples of such effects are discussed, in the case of germanium, silicon and intermetallic compounds.


Résumé
Cette mise au point est consacrée aux défauts créés par irradiation dans les semiconducteurs et à leur influence sur les propriétés de ces corps. Les travaux récents ont, montré l'importance des interactions de ces défauts avec les impuretés du cristal, avec les autres défauts et avec la population électronique. Ces interactions modifient la structure, la stabilité et les effets des défauts d'irradiation. On montre des exemples de tels effets tirés de l'étude du germanium, du silicium et de composés intermétalliques.

PACS
6172 - Defects and impurities in crystals; microstructure.
6180 - Physical radiation effects, radiation damage.

Key words
crystal defects -- radiation effects -- semiconductors -- semiconductors