Localization of absorption losses in oxide single-layer films

Abstract
Absorption measurements performed by means of photoacoustic absorption (PAA)-technique in wedge-shaped TiO2' Ta2O5, and ZrO2 single-layer films at λ = 488 nm, 515 nm, and 647 nm permit a separate determination of bulk and interface absorption, respectively. For TiO2 and Ta2O5 films investigated the film-substrate interface absorption Afs dominates over the air-film interface absorption Aaf, whereas for evaporated ZrO2 films both the interface contributions are nearly the same. In addition, preliminary results concerned with the wavelength dependence of the absorption of the films investigated are presented.

Résumé
Les mesures d'absorption réalisées par la méthode de l'absorption photoacoustique dans des films TiO2, Ta2O5, et ZrO 2 en forme de coin à λ = 488 nm, 515 nm et 647 nm permettent de séparer l'absorption due au volume de celle due à l'interface. Pour les films de TiO2 et Ta2O5 l'absorption due à l'interface film-substrat est supérieure à l'absorption due à l'interface air-film, tandis que pour les films évaporés de ZrO2 les deux contributions sont comparables. De plus on donne les résultats préliminaires de la dépendance en fonction de la longueur d'onde de ces films.