J. Phys. France
Volume 41, Number 9, septembre 1980
Page(s) 1067 - 1074
J. Phys. France 41, 1067-1074 (1980)
DOI: 10.1051/jphys:019800041090106700

Polariton theory of resonant electronic Raman scattering on neutral donor levels in semiconductors with a direct band gap

Nguyen Ba An, Nguyen Van Hieu, Nguyen Toan Thang et Nguyen Ai Viet

Institute of Physics, National Center for Scientific Research of Vietnam, Nghia Do, Tu Liem, Hanoi, Vietnam

The theory is presented for the Raman scattering on bound electrons of neutral donors in the semiconductors with a direct band gap at the incident photon frequency in the resonance with the exciton. The cross-section of the polariton scattering with the transition of the donor electron from the ground state to the first excited state is calculated.

Dans ce travail nous présentons la théorie de la diffusion de Raman sur les électrons liés aux donneurs neutres dans les semiconducteurs avec une bande interdite directe, quand la fréquence du photon incident est en résonance avec l'exciton. La section efficace de diffusion du polariton avec transition de l'électron de l'état fondamental au premier état excité a été calculée.

7135 - Excitons and related phenomena.
7136 - Polaritons (including photon-phonon and photon-magnon interactions).
7155 - Impurity and defect levels.

Key words
excitons -- impurity electron states -- polaritons -- Raman spectra of inorganic solids -- semiconductors