Issue
J. Phys. France
Volume 41, Number 9, septembre 1980
Page(s) 1025 - 1029
DOI https://doi.org/10.1051/jphys:019800041090102500
J. Phys. France 41, 1025-1029 (1980)
DOI: 10.1051/jphys:019800041090102500

Structures de bande des solutions solides Cd1 - xHgxGa2S4 et CdGa 2(S1-xSex)4

V.L. Paniutin1, 2, B.E. Ponedelnikov1, 2, A.E. Rosenson1, 2 et V.I. Tchijikov1, 2

1  Division de la Physique Théorique, Centre des Sciences et de la Technologie Nucléaires, BP 1017, Alger-Gare, Alger, Algérie
2  Adresse permanente :Université de Krasnodar, Krasnodar, URSS


Abstract
In the framework of the empirical pseudopotential model, we have studied at the point K = 0 the behaviour of the band structure of semiconductor alloy systems on the basis of thiogallate cadmium : Cd1-xHg xGa2S4 and CdGa2(S1- xSex)4. We have established that the dependence of electronic levels as function of composition is more or less linear. The calculated values of the bandgap are in agreement with the experimental data.


Résumé
Dans le modèle du pseudopotentiel empirique nous avons étudié les caractéristiques générales de la structure de bande d'énergie au point K = 0 des solutions solides sur la base du thiogallate de cadmium : Cd1-x HgxGa2S4 et CdGa2(S 1-xSex)4. Nous avons établi que la dépendance des niveaux électroniques en fonction de la concentration des composants est à peu près linéaire. Les valeurs calculées de la largeur de bande interdite sont en accord avec les données expérimentales.

PACS
7122 - Electronic structure of liquid metals and semiconductors and their alloys.

Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- cadmium compounds -- energy gap -- gallium compounds -- mercury compounds -- pseudopotential methods -- ternary semiconductors