J. Phys. France 37, 1233-1240 (1976)
DOI: 10.1051/jphys:0197600370100123300

Détermination de la structure de bande de MoTe2-x à partir de l'étude de phénomènes de transport

A. Conan, M. Zoaeter et G. Goureaux

Laboratoire de Physique du Métal et d'Electronique, B.P.1044, 44000 Nantes, France

Abstract
Thermoelectric power and electrical resistivity measurements have been performed over a wide temperature range on bulk MoTe2-x compounds. The experimental results are analysed on the basis of parallel conduction in extended and localized states. The agreement between theoretical and experimental results is quite good : The samples are found to be n type in the low temperature range and p type in the intrinsic domain. A schematic representation of the band structure is given.

Résumé
Des mesures de pouvoir thermoélectrique et de résistivité électrique ont été effectuées dans un domaine étendu de température sur des échantillons massifs MoTe2-x. Les résultats expérimentaux sont analysés en terme de conduction parallèle dans des états étendus et localisés. L'accord entre résultats théoriques et expérimentaux est très satisfaisant. Les composés étudiés sont de type n à basse température et de type p dans le domaine intrinsèque. Une représentation schématique de la structure de bande des échantillons est déduite des résultats théoriques.

PACS
7120N - Semiconductor compounds.
7220F - Low-field transport and mobility; piezoresistance.
7220P - Thermoelectric and thermomagnetic effects.

Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- electrical conductivity of crystalline semiconductors and insulators -- molybdenum compounds -- semiconductor materials -- thermoelectric effects in semiconductors and insulators