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J. Phys. France
Volume 33, Number 11-12, novembre-décembre 1972
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Page(s) | 1105 - 1113 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphys:019720033011-120110500 |
DOI: 10.1051/jphys:019720033011-120110500
Origin of the minimum in the total energy curve of diamond using the extended Hückel theory
M. LannooLaboratoire de Physique des Solides , ISEN, 3, rue François-Baës, 59, Lille
Abstract
This work is concerned with the application of EHT (extended Hückel Theory) to a diamond crystal. It is first shown in simple cases how overlap integrals can give rise to a repulsive part in the total energy. Approximate forms of this repulsive energy are given in view of their use in more complex systems. Application to diamond is made, giving a simple analytic form for the total energy, which shows that the minimum is mainly due (in EHT) to the repulsive energy provided by the overlap between adjacent bonding orbitals.
Résumé
L'objet de ce travail est l'application de la méthode de Hückel étendue au cas du diamant. On montre d'abord dans des cas simples comment les intégrales de recouvrement donnent lieu à un terme répulsif dans 1'énergie totale. Des formes approximatives de cette énergie sont données en vue de leur application à des systèmes plus complexes. Dans le diamant ceci conduit à une forme analytique simple de l'énergie totale montrant que le minimum est dû principalement (dans la méthode de Hückel étendue) au terme répulsif créé par le recouvrement entre des orbitales liantes adjacentes.
6150L - Crystal binding; cohesive energy.
7120N - Semiconductor compounds.
Key words
bonds chemical -- diamond