Photoconductivité des couches minces de Cds

Abstract
Description of the method of thin film preparation, of doping, of the experimental results on photoconductivity at différent temperatures and the results of the calculation of the capture cross-section of these impurities. The intrinsic photoconductivity maximum is around 0.49 μ with Cu, Ag, Co and V dopant. Thin films exhibit wide bands in photoconductivity, the thresholds of which are about 0.60, 0.54, 0.63 and 0.65 μ irespectively. The activation energes when the impurity is excess cadmium are 0.52, 0.34 and 0.25 eV. Thermal extinction of photoconductivity occurs around 500 °K. Analysis of the decrease of photoconductivity with time at different temperatures allows the determination of capture cross-sections from 10^-17 to 10^-19 for the different traps.

Résumé
Exposé de la méthode de préparation, du dopage, des résultats obtenus en photoconductivité à différentes températures et des calculs des sections efficaces correspondant à ces impuretés. Le maximum de photoconductivité intrinsèque est au voisinage de 0,49 μ dopé avec du Cu, Ag, Co et V. Des couches minces présentent des bandes larges de photoconductivité dont les seuils se situent à 0,60, 0,54 et 0,63, 0,65 μ respectivement. Les valeurs de l'énergie d'ionisation dans les cas où l'impureté est constituée par un excès de Cadmium sont : 0,52, 0,34 et 0,25 eV. Une extinction thermique de la photoconductivité est constituée au voisinage de 500 °K. L'interprétation des courbes de décroissance de la photoconductivité en fonction du temps et aux différentes températures permet la détermination des sections efficaces de capture allant de 10^-17 à 10^-19 pour les différents pièges.