Occupied and unoccupied electronic states in SiO/sub 2/ as measured by direct and inversion photoemission and soft X-ray emission
Etats électroniques occupés et inoccupés de SiO2 mesurés par photoémission directe et inverse et par émission d'X mous
J. Phys. France, 48 1 (1987) 81-91
DOI: https://doi.org/10.1051/jphys:0198700480108100