J. Phys. France 48, 81-91 (1987)
DOI: 10.1051/jphys:0198700480108100

Etats électroniques occupés et inoccupés de SiO2 mesurés par photoémission directe et inverse et par émission d'X mous

M. Azizan¹, R. Baptist², A. Brenac³, G. Chauvet³ et T.A. Nguyen Tan<sup>1

1</sup>  LEPES - CNRS - 166X, 38041 Grenoble, France
²  LETI - IRDI - Commissariat à l'Energie Atomique. LETI - CEN.G - 85X, 38041 Grenoble Cedex, France
³  DRF/Service de Physique/PSC CEN.G - 85X, 38041 Grenoble Cedex, France

Abstract
Direct and inverse photoemission in the U.V. range and soft X-ray emission spectra (SiL2,3) are presented for silicon di-oxides. These measurements concern amorphous (a-SiO2) and cristalline (quartz) di-oxides. These results allow an investigation of the electronic structure of these compounds around the Fermi level. Furthermore they show clearly that no Si 3d electrons are present at the top of the valence band.

Résumé
Nous présentons nos résultats d'expériences de photoémission directe et inverse dans le domaine ultraviolet ainsi que ceux d'expériences d'émission de rayons X mous ( Si L2,3) obtenus sur des échantillons de di-oxyde de silicium sous forme amorphe (a-SiO 2) ou cristalline (quartz). Ces résultats permettent de mieux connaître la structure électronique de SiO2 de part et d'autre du niveau de Fermi et montrent clairement, en accord avec les calculs théoriques, qu'il n'y a pas d'électrons Si 3d au sommet de la bande de valence.

PACS
7120N - Semiconductor compounds.
7870E - X-ray emission spectra and fluorescence.
7960 - Photoemission and photoelectron spectra.

Key words
band structure of crystalline semiconductors and insulators -- Fermi level -- inverse photoemission spectroscopy -- quartz -- silicon compounds -- ultraviolet photoelectron spectra -- X ray emission spectra