J. Phys. France 46, 2145-2149 (1985)
DOI: 10.1051/jphys:0198500460120214500

Analytic expressions of the magnetoresistance due to localization and electron-electron interaction effects. - Application to the amorphous alloys La3Al and La3Ga

J.C. Ousset, S. Askenazy, H. Rakoto et J.M. Broto

Laboratoire de Physique des Solides, Service des Champs Intenses, I.N.S.A., Avenue de Rangueil, 31077 Toulouse Cedex, France

Abstract
We start from the theoretical calculations of Alt'shuler et al. and Lee and Ramakrishnan for the contributions to magnetoresistance from weak localization and electron-electron interactions in a disordered system. We give analytic expressions which can be more easily handled by experimentalists. Our results on the amorphous alloys La3Al and La3Ga are presented and interpreted using these equations to get the best fit.

Résumé
Nous partons des calculs théoriques d'Alt'shuler et al. et de Lee et Ramakrishnan sur les contributions à la magnétorésistance de la localisation faible et des interactions électron-électron dans un système désordonné. Nous en donnons des formes analytiques d'utilisation facile pour les expérimentateurs. Nous présentons nos résultats expérimentaux sur les alliages amorphes La 3Al et La3Ga et nous les interprétons à partir des équations que nous avons obtenues.

PACS
7215G - Galvanomagnetic and other magnetotransport effects.
7123C - Amorphous semiconductors, metallic glasses, glasses.

Key words
aluminium alloys -- amorphous state -- gallium alloys -- lanthanum alloys -- localised electron states -- magnetoresistance